全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)第3代SiC肖特基二極管(以下簡稱“SBD”)成功應(yīng)用于MurataPowerSolutions的產(chǎn)品上。MurataPowerSolutions是電子元件、電池、電源領(lǐng)域的日本著名制造商——村田制作所集團旗下的一家企業(yè)。ROHM的高速開關(guān)SiCSBD商品“SCS308AH”此次成功應(yīng)用于MurataPowerSolutions的數(shù)據(jù)中心電源模塊“D1U系列”，并且為該系列產(chǎn)品的性能提升和尺寸的微型化做出了貢獻。

近年來，隨著以AI(人工智能)和AR(增強現(xiàn)實)等技術(shù)為代表的IoT領(lǐng)域的發(fā)展，全球數(shù)據(jù)通訊量正在不斷增長。尤其是對于負責(zé)進行通信管理的數(shù)據(jù)中心而言，其服務(wù)器的微型化和效率提高已經(jīng)成為困擾各制造商的技術(shù)難題。在這種背景下，SiC功率器件因其有利于實現(xiàn)電源部分微型化和高效化而備受期待。

Dr.LongchengTan,SeniorElectricalEngineerandprojectleader,MurataPowerSolutions表示：“通過使用SiC功率器件，能夠研發(fā)出效率更高、功率密度更高的電源產(chǎn)品。同時，SiC功率器件還可以提高開關(guān)頻率，因此能夠減少無源元件和排熱件的體積。村田制作所集團內(nèi)部設(shè)有專門負責(zé)對SiC器件制造商及其產(chǎn)品進行評估的部門，我們此次之所以選擇ROHM，除了ROHM產(chǎn)品的可靠性高之外，還在于ROHM的服務(wù)保障非常迅速，從試制階段開始就能提供樣品。此外，我們正在開發(fā)的三相逆變器中也使用了ROHM的SiCMOSFET，相關(guān)產(chǎn)品能夠滿足我們的性能要求。”

JayBarrus,President,ROHMSemiconductorU.S.A.,LLC表示：“可以為電源系統(tǒng)等工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)——MurataPowerSolutions給予支持，我由衷地感到高興。ROHM是SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)，在業(yè)內(nèi)率先提供先進的元器件技術(shù)和驅(qū)動IC等商品相結(jié)合的電源解決方案，并取得了驕人的業(yè)績。今后，ROHM將繼續(xù)與MurataPowerSolutions攜手，通過面向工業(yè)以及數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域盡可能地深挖SiC技術(shù)潛力，進而進一步提升電源系統(tǒng)的能效。”

＜關(guān)于MurataPowerSolutions＞

MurataPowerSolutions是一家設(shè)計、制造和銷售DC-DC電源、AC-DC電源、磁性器件、數(shù)顯式面板儀表、數(shù)據(jù)中心解決方案的公司。商品陣容包含標準品、半定制品和定制品。MurataPowerSolutions的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通訊、計算機、工業(yè)控制設(shè)備、醫(yī)療保健、能源管理系統(tǒng)等全球主要市場領(lǐng)域的電子產(chǎn)品。

如需了解具體情況，請訪問MurataPowerSolutions的官網(wǎng)：https://www.murata-ps.com/upfile

＜關(guān)于MurataPowerSolutions的數(shù)據(jù)中心電源模塊＞

MurataPowerSolutions的AC-DC電源“1U前端”系列產(chǎn)品陣容中增加了高效率功率因數(shù)校正型前端電源模塊“D1U54P-W-2000-12-HB3C”和“D1U54P-W-1200-12-HC4PC”等商品，能夠?qū)崿F(xiàn)多個電源模塊并聯(lián)工作。此外，“1U前端”系列還支持熱插拔，具有過熱、過電流、過電壓等異常檢測和保護功能。該系列產(chǎn)品不但可以為服務(wù)器、工作站、存儲系統(tǒng)等12V電源系統(tǒng)提供高可靠性、高效率的電源，并且商品還具備薄型尺寸(1U)，有利于削減系統(tǒng)的安裝面積。

＜關(guān)于ROHM的SiC功率器件＞

ROHM于2010年在全球開始SiCMOSFET的量產(chǎn)至今，作為SiC功率元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，一直在推進先進產(chǎn)品的科研開發(fā)。MurataPowerSolutions所使用的第3代SiCSBD新產(chǎn)品具有總電荷量(Qc)小、消耗低且開關(guān)速率高的特點。并且，與第2代SBD相比，其抗浪涌電流能力更出色，VF值更低。

＜支持信息＞

ROHM在官網(wǎng)增設(shè)網(wǎng)頁中，闡述了SiCMOSFET、SiCSBD和SiC功率模塊等SiC功率元器件的概況，同時，還發(fā)布了用于快速評估和引入第4代SiCMOSFET的各類支持資料，歡迎瀏覽。

SiC功率元器件增設(shè)網(wǎng)頁：https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices

第4代SiCMOSFET有關(guān)的支持資料：

?概述介紹視頻、產(chǎn)品視頻

?應(yīng)用指南(產(chǎn)品概要和評估信息、牽引逆變器、車載充電器、開關(guān)電源)

?設(shè)計模型(SPICE模型、PLECS模型、封裝和FootPrint等的3DCAD數(shù)據(jù))

?主要應(yīng)用里的仿真電路(ROHMSolutionSimulator)

?評估板信息